14 августа 2016 
AdminGWP Разработчики американской корпорации Micron Technology представили микрочипы с применением технологии 3D NAND, которая способствует повышению производительности девайсов. Производитель отмечает, что технология 3D NAND обладает третьим измерением по оси Z благодаря вертикальному размещению ячеек памяти, при этом каждый кристалл содержит несколько слоёв ячеек. Новинка ёмкостью 32 ГБ разработана в соответствии со стандартом UFS 2.1, за счёт чего становится возможной оперативная загрузка наряду с умеренным энергопотреблением.
Компания Micron также отметила, что использование технологии 3D NAND в сравнении с памятью предыдущего поколения 2D NAND позволило уменьшить размеры микрочипов. Благодаря сэкономленному пространству у производителей различных устройств появляется возможность разместить компоненты большего размера (например, аккумулятор), а производители смартфонов смогут выпускать более «стройные» модели без ущерба для производительности будущих девайсов.
Сейчас компания Micron занимается поставками ознакомительных образцов памяти для следующего поколения смартфонов. Ожидается, что комплектующие станут доступными уже в конце этого года.
Рубрика: