Septor.net.ua

Учёныe из Вискoнсинскoгo унивeрситeтa в Мaдисoнe считaют, чтo пoтeнциaл крeмния в дaннoм случae eщё нe исчeрпaн, a xaрaктeристики крeмниeвыx трaнзистoрoв нa плaстикoвoй oснoвe нe будут уступaть свoим aнaлoгaм нa крeмниeвыx пoдлoжкax. В нaстoящee врeмя для прoизвoдствa элeктрoнныx прибoрoв нa гибкиx пластиковых подложках принято использовать материалы на основе органических веществ.

Свежая публикация на сайте университета сообщает, что разработана методика простого, дешёвого и быстрого производства кремниевых схем на пластиковой основе методом рулонной печати. Следует ожидать, что новыми являются комбинации материалов и определённых этапов в техпроцессе. В принципе, в данной методике нет ничего неизвестно.
Вместо дорогой проекционной установки со своими технологическими проблемами, штамповка позволяет упростить ряд процессов по изготовлению полупроводников, хотя также страдает от своих проблем, например — от быстрого износа штампов. Для производства с нормами порядка 10 нм используется так называемая нано-печатная литография (nanoimprint lithography), когда изготавливается высокопрочный штамп с последующими циклами получения оттиска на носителе со светочувствительным слоем.
Потом, на этапе штамповки, скорость изготовления чипов компенсирует этот «недостаток». Форма для штампа изготавливается с помощью высокоточной, но очень медленной электронно-лучевой проекции, когда мишень бомбардируется пучком электронов.
Будущие iPhone будут принимать форму заднего кармана и прекратят при этом ломаться. Университетские учёные утверждают, что полученный с помощью их разработки транзисторы на полиэтиленовой подложке показали работоспособность на частоте 38 ГГц. Это означает, что методика подойдёт для выпуска радиочастотных цепей носимой электроники. Программный симулятор процесса позволяет утверждать, что данная методика годится для создания 110-ГГц транзисторов.