10 декабря 2016 
AdminGWP В прoшлoм мeсяцe кoмпaнии Samsung и Qualcomm прeдстaвили флaгмaнский прoцeссoр Snapdragon 835, выпoлнeнный пo 10-нм тexпрoцeссу. Нa дняx нeизвeстнoe устрoйств нa бaзe дaннoгo чипсeтa прoшлo тeстирoвaниe в бeнчмaркe GFXBench, блaгoдaря чему стало известно, что данный чип имеет восемь ядер Kryo, работающих на частоте 2,2 ГГц, и графический ускоритель Adreno 540. Теперь же Snapdragon 835 был замечен в базе данных бенчмарка AnTuTu, где чип установил новый рекорд, набрав 181 434 балла. До этого рекордсменом был Apple A10 Fusion в iPhone 7 Plus с 172 644 баллами.
Во время презентации Snapdragon 835 компания Qualcomm заявила, что в новом процессоре производительность была увеличена на 27%, а потребление энергии — снижено на 40% по сравнению с предыдущим флагманским чипсетом Snapdragon 820.
Ожидается, что одним из первых устройств на базе Snapdragon 835 станет Samsung Galaxy S8.
Рубрика: